2009/1/12 月曜日

先週の新製品まとめ

Filed under: コンピュータ関連,ハードウェア関連,日記,電気電子・情報関連 — ハイジんブルー @ 22:37:40

先週はいろいろと出ましたねぇ。CES関連の記事を読みだけでいっぱいいっぱいでした(^^;) とりあえず、自分が興味を示したものだけでも…
Phenom II

ついに登場しました、AMDの『PhenomII』。これまでのPhenomは65nmプロセスを用いて製造されていましたが、PhenomIIでは45nmプロセスを採用。もし、以前のAMDの予告通りであれば、液侵リソグラフィーを用いて製造されているんでしょうね。

微細化されたことで、さらにトランジスタ数を増やすことが可能になり、L3キャッシュがPhenomの2MBから3倍の6MBに増えてます。トランジスタ数は4億5000万個から7億5800万個に増えてるそうです!それにも関らずダイサイズは10%小さくなったとか。

今回発売になったPhenom IIのパッケージはPhenomと同じAM2+のままなので、使用可能メモリはDDR2のみとなる。本当はDDR3にも対応する新パッケージAM3で発売したかったのだが、間に合わなかったんでしょうね。AM2+版Phenom IIは今回限りの可能性があるので、AM3版Phenom IIが欲しい人はもうちょっと我慢した方が良さそうですね。

Core2Duoが出たときに秋葉原で『Athlon64 X2 vs Core2Duo』対決イベントがよく行われてましたが、『Core i7 vs Phenom II』対決イベントが行われる日が楽しみです(笑)

「Phenom II」正式発表。AMD初の45nmプロセス採用デスクトップPC向けプロセッサのキモを整理する – 4Gamer.net
http://www.4gamer.net/games/077/G007794/20090106033/

GeForce GTX285 / GTX295

シングルGPU最強だった65nmプロセス『GTX280』を55nmプロセスにした『GTX285』が登場。微細化したことで消費電力と発熱が減ったのでクロックアップして性能も向上させたってところでしょうね。消費電力が減っていることはPCI Express給電コネクタが6ピン+8ピン構成から6ピン+6ピン構成になっていることからも分かりますね。

NVIDIA,55nmプロセス世代の最上位シングルGPU「GeForce GTX 285」発表 – 4Gamer.net
http://www.4gamer.net/games/050/G005004/20090108049/

GTX295の方はGTX200シリーズのGPUをデュアルで搭載しているカード。発表自体は去年の12月にされていました。(てか、忘れてましたwww)それが先週8日に発売解禁になったわけだ。このGTX295も55nmプロセスとなってますが、性能が性能なので消費電力が減ってることは感じることができませんね。ボードの見た目は9800GX2とほとんど同じようですね。

シングルカードではHD4870X2が最強って言われてましたが、久々のGeForce最強が復活ですね。

499ドルの“史上最速シングルカード”がもたらす価値を考察する – 4Gamer.net
http://www.4gamer.net/games/050/G005004/20090108044/

それにしても、NVIDIAの型番の分かりづらさを何とかしていただきたい(^^;)マイナーチェンジしたのに型番を変えないのは分かりづらいっす…

ATI Mobility RadeonHD4000

Radeon HD4000シリーズのモバイル版ですね。Mobility RadeonってPowerBookG4以来使ったことがないんですが、やっぱり同じ型番でもデスクトップ用と比べると性能は下がるんですよね?それでもMobility Radeon HD4870はデスクトップ用HD4870と同じくGDDR5搭載らしいです。性能の割に消費電力が少ないといわれているGDDR5ですが、クロックが高いですからねぇ~。モバイルに採用するとは驚きです。

【リリース】AMD,「ATI Mobility Radeon HD 4000」シリーズを正式発表 – 4Gamer.net
http://www.4gamer.net/games/071/G007197/20090109059/

2008/12/12 金曜日

Intel 32nmプロセス準備完了!

現在のIntelの主要プロセッサは45nmで製造されてますが、次期32nmプロセスの開発が完了したようです。

IN BRIEF: Intel Completes Development of 32nm Process Technology. – X-bit
http://www.xbitlabs.com/news/other/display/20081210174345_(中略).html

『単純に設計を小さくすればいいじゃん!』と思うかもしれませんが、数年前までは確かにその通りに微細化がすすんでました。ところが、微細化により設計幅などの間にある原子の数が数えられるレベルになってしまったため、量子力学的効果が無視できなくなってきた。そのため、ただ小さくするだけではなく、小さくしたことによって発生する量子力学的効果を防ぐ方法を導入しなければならなくなった。

たとえば、Intelの45nmプロセスから導入されたHigh-Kだが、これは微細化により絶縁膜の厚さが薄くなってしまったために導入された技術だ。本来、絶縁膜なので電流が流れないはずなのだが、薄くなったことで量子力学的効果によりトンネル電流が流れてしまうようになった。これを防ぐためにはこの絶縁膜を厚くする必要があるのだが、厚くするとゲート容量が減ってしまう。(高校物理で習うコンデンサーの電極間距離を膜厚として考えると分かりやすいかも) 容量を稼ぐとなると絶縁膜の誘電率Kを高くれば良い。これがHigh-Kの考え方だ。簡単に説明しているが、かなり昔から研究されているらしく、試行錯誤でここ数年でようやく実現した技術のようです。

32nmでは45nmと同じようにHigh-Kやひずみシリコン、メタルゲートが使われますが、新たに量子力学的効果のほかに製造方法上の問題が発生してくるらしいです。 現在、半導体の大量生産にはフォトリソグラフィと呼ばれる方法を用いているのだが、このフォトリソグラフィに用いられている光の波長が193nm。実は、この波長の光を集光して正確に露光する限界が45nmなのだか。この限界を突破する手法としてシリコンウェハを超純水に浸し屈折率を高める「液浸露光技術」とより短波長の光を用いる方法がある。今回の発表では特にここには触れていないようですが、おそらくは「液浸露光」を使ってるんでしょうね。

ちなみに、開発完了とのことですが、製品が出るのはまだまだ先でしょうね(^^;)

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